STB25NM60N-1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-262-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

160 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

8.95 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

STB25NM60N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Transconductancia directa - Mín .:

17 S

Otoño:

24 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

94 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

24.5 ns

Unidad de peso:

0.050717 oz

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