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SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7846DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 150V 6.7A 5.2W 50mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7846DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
VISHAY
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7846DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
1.9 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
10 ns
Hora de levantarse
7 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
150 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
50 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
22 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
12 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7846DP-T1, SI7846DP-T, SI7846D, SI7846, SI784, SI78, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ronik
N-CH 150V 50mOhm 6,7A PPSO8
***ark
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # 29731069		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R
RoHS: Compliant		3000
  • 3000:$1.5372
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # SI7846DP-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.4107
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # C1S803601596958		Vishay IntertechnologiesMOSFETs3000
  • 3000:$1.3100
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # SI7846DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R (Alt: SI7846DP-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 1:€2.1900
  • 10:€1.5900
  • 25:€1.2900
  • 50:€1.0900
  • 100:€1.0900
  • 500:€1.0900
  • 1000:€1.0900
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # SI7846DP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7846DP-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$1.0969
  • 6000:$1.0639
  • 12000:$1.0209
  • 18000:$0.9929
  • 30000:$0.9659
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7846DP-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.4400
  • 10:$2.0300
  • 100:$1.5800
  • 500:$1.3800
  • 1000:$1.1400
  • 3000:$1.0700
  • 6000:$1.0300
SI7846DP-T1-GE3
DISTI # TMOSP6088		Vishay IntertechnologiesN-CH 150V 50mOhm 6,7A PPSO8
RoHS: Compliant		Stock DE - 0Stock US - 0
  • 3000:$1.3700
Imagen Parte # Descripción
SI7846DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7846DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7846DP-T1-GE3

 MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7846DP-T1-E3

Mfr.#: SI7846DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7846DP-T1-E3

 MOSFET 150V, 50 MOHMS@10V, PWM
SI7846DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7846DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7846DP-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 150V 6.7A 5.2W 50mohm @ 10V
SI7846DP

Mfr.#: SI7846DP

OMO.#: OMO-SI7846DP-1190

 MOSFET TRANSISTOR
SI7846DP-T1

Mfr.#: SI7846DP-T1

OMO.#: OMO-SI7846DP-T1-1190

 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7846DP-E3
SI7846DP-T1-E3

Mfr.#: SI7846DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7846DP-T1-E3-VISHAY

 MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
SI7846DP-TI

Mfr.#: SI7846DP-TI

OMO.#: OMO-SI7846DP-TI-1190

 Nuevo y original
SI7846DP-TI-E3

Mfr.#: SI7846DP-TI-E3

OMO.#: OMO-SI7846DP-TI-E3-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
1000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,42 US$
1,42 US$
10
1,35 US$
13,49 US$
100
1,28 US$
127,83 US$
500
1,21 US$
603,65 US$
1000
1,14 US$
1 136,30 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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