SSM6J771G,LF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

WCSP6C-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

26 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

9.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

5 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.5 mm

Serie:

SSM6J771

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

1 mm

Marca:

Toshiba

Transconductancia directa - Mín .:

19 S

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

90 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Unidad de peso:

0.000060 oz

Tags

SSM6J, SSM6, SSM