2SA854STPQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

32 V

Colector- Voltaje base VCBO:

40 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.5 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

200 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 3 V

Altura:

3 mm

Longitud:

4 mm

Embalaje:

Ammo Pack

Ancho:

2 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

Transistores

Tags

2SA854ST, 2SA854S, 2SA854, 2SA85, 2SA8, 2SA