SSM6N56FE,LM

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

ES6-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

800 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

235 mOhms, 235 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

1 nC, 1 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.55 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

SSM6N56

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Tipo de producto:

MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8.5 ns, 8.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.5 ns, 5.5 ns

Unidad de peso:

0.000289 oz

Tags

SSM6N56, SSM6N5, SSM6N, SSM6, SSM