IPB114N03L G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11.4 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

38 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

2.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.8 ns

Parte # Alias:

IPB114N03LGXT

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IPB114, IPB11, IPB1, IPB