C3M0016120K

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Sic

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1.2 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

115 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

28.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.8 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

211 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

556 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Cree, Inc.

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

33 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

34 ns

Tags

C3M00, C3M0, C3M