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SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5419DU-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI5419DU-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET - Single
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Alias ​​de parte
SI5419DU-GE3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
8-PowerPakR ChipFET
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
1 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
8-PowerPakR ChipFet
Configuración
Único
Tipo FET
Canal P MOSFET, óxido metálico
Potencia máxima
31W
Tipo transistor
1 P-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
30V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1400pF @ 15V
Función FET
Estándar
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
12A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
20 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2.5V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
45nC @ 10V
Disipación de potencia Pd
3.1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
16 ns 12 ns
Hora de levantarse
33 ns 10 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
9.9 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
20 mOhms
Polaridad del transistor
P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico
30 ns 40 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
47 ns 10 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI541, SI54, SI5
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
SI5419DU-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 9.9 A; 30 V; 8-Pin PowerPAK ChipFET
***Components
On a Reel of 3000, P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET Vishay SI5419DU-T1-GE3
***ure Electronics
Si5419DU Series P-Channel 30 V 20 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK-ChipFET-8
***et Europe
Trans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***ark
P-Channel 30-V (D-S) Mosfet
***i-Key
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
***
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216191		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
RoHS: Compliant		1996
  • 1000:$0.2126
  • 500:$0.2615
  • 250:$0.3040
  • 100:$0.3049
  • 25:$0.3795
  • 10:$0.3812
  • 1:$0.4595
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # SI5419DU-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		32245In Stock
  • 1000:$0.2600
  • 500:$0.3365
  • 100:$0.4589
  • 10:$0.6120
  • 1:$0.7300
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # SI5419DU-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		32245In Stock
  • 1000:$0.2600
  • 500:$0.3365
  • 100:$0.4589
  • 10:$0.6120
  • 1:$0.7300
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # SI5419DU-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		27000In Stock
  • 3000:$0.2302
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # 25975780		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
RoHS: Compliant		1996
  • 1000:$0.2126
  • 500:$0.2615
  • 250:$0.3040
  • 100:$0.3049
  • 38:$0.3795
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # SI5419DU-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R - Tape and Reel (Alt: SI5419DU-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.2409
  • 6000:$0.2339
  • 12000:$0.2249
  • 18000:$0.2179
  • 30000:$0.2119
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # 15R5155		Vishay IntertechnologiesP-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET0
  • 1:$0.1950
  • 3000:$0.1940
  • 6000:$0.1840
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # 70616980		Vishay SiliconixSI5419DU-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor,9.9 A,30 V,8-Pin PowerPAK ChipFET
RoHS: Compliant		0
  • 300:$0.3800
  • 600:$0.3300
  • 1500:$0.2700
  • 3000:$0.2600
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # 781-SI5419DU-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
RoHS: Compliant		3877
  • 1:$0.6400
  • 10:$0.4880
  • 100:$0.3620
  • 500:$0.2980
  • 1000:$0.2300
  • 3000:$0.2100
SI5419DU-T1-GE3Vishay BLH 48
  • 6:$0.9375
  • 23:$0.6094
SI5419DU-T1-GE3Vishay Intertechnologies 38
  • 21:$0.6250
  • 5:$1.0000
  • 1:$1.2500
SI5419DU-T1-GE3
DISTI # 8181312P		Vishay IntertechnologiesTRANS MOSFET P-CH 30V 9.9A, RL2040
  • 100:£0.2480
  • 400:£0.2180
  • 1000:£0.1920
SI5419DUT1GE3Vishay Intertechnologies 
RoHS: Compliant		Europe - 3000
    SI5419DU-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
    RoHS: Compliant    		Americas -
      SI5419DU-T1-GE3
      DISTI # C1S803601333492      		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
      RoHS: Compliant      		1996
      • 250:$0.2949
      • 100:$0.3049
      • 25:$0.3794
      • 10:$0.3812
      Imagen Parte # Descripción
      SI5419DU-T1-GE3

      Mfr.#: SI5419DU-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI5419DU-T1-GE3

      		 MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET
      SI5419DU-T1-GE3

      Mfr.#: SI5419DU-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI5419DU-T1-GE3-VISHAY

      		 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      4500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de SI5419DU-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,28 US$
      0,28 US$
      10
      0,27 US$
      2,68 US$
      100
      0,25 US$
      25,38 US$
      500
      0,24 US$
      119,85 US$
      1000
      0,23 US$
      225,60 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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