TPCP8J01(TE85L,F,M

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PS8-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal P, NPN

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

32 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

27 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.06 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

TPCP8J01

Tipo de transistor:

1 P-Channel, NPN

Escribe:

Transistor de efecto de campo Canal P de silicio Tipo MOS

Ancho:

2.4 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

90 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.8 ns

Tags

TPCP8J01(T, TPCP8J, TPCP8, TPCP, TPC