BSC030P03NS3GAUMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

140 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

BSC030P03

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

47 S

Otoño:

33 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

105 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

98 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

27 ns

Parte # Alias:

BSC030P03NS3 BSC3P3NS3GXT G SP000442470

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BSC030P03NS3GA, BSC030P0, BSC030P, BSC030, BSC03, BSC0, BSC