FF450R07ME4_B11

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

650 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.95 V

Corriente continua del colector a 25 C:

560 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA

Pd - Disipación de energía:

1450 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Bandeja

Marca:

Infineon Technologies

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

6

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

FF450R07ME4B11BOSA1 SP000725482

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