Si4103DY-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

7.9 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

140 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

5.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

60 S

Otoño:

26 ns, 28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17 ns, 38 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

55 ns, 78 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns, 57 ns

Tags

Si410, SI41, SI4