BSS159NH6327XTSA2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

230 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

BSS159

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.1 ns

Parte # Alias:

BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328

Unidad de peso:

0.000282 oz

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