APT28F60B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

170 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

140 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

520 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

27 S

Otoño:

29 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

74

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

95 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

31 ns

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

APT28, APT2, APT