NE85633-T1B-A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

CEL

Categoria de producto:

Transistores bipolares de RF

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

Bipolar

Tecnología:

Si

Polaridad del transistor:

NPN

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

12 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

3 V

Corriente continua del colector:

0.1 A

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Configuración:

Único

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Embalaje:

Carrete

Ganancia de corriente CC hFE Max:

250

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Frecuencia de operación:

1 GHz

Escribe:

Señal pequeña bipolar RF

Ancho:

1.5 mm

Marca:

CEL

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

7 GHz

Pd - Disipación de energía:

200 mW (1/5 W)

Tipo de producto:

Transistores bipolares de RF

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

2SC3356-T1B-A

Unidad de peso:

0.000282 oz

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