BD436TG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-225-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

32 V

Colector- Voltaje base VCBO:

32 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.5 V

Corriente máxima del colector de CC:

4 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

3 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Altura:

11.04 mm (Max)

Longitud:

7.74 mm (Max)

Embalaje:

Tubo

Ancho:

2.66 mm (Max)

Marca:

EN Semiconductor

Corriente continua del colector:

4 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

40

Pd - Disipación de energía:

36 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.068784 oz

Tags

BD436T, BD436, BD43, BD4