SI7998DP-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A, 30 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

9.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC, 48 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

22 W, 40 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI7

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

45 S, 71 S

Otoño:

10 ns, 13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns, 17 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns, 35 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns, 26 ns

Parte # Alias:

SI7998DP-GE3

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

SI799, SI79, SI7