NTJS3157NT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-88-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

60 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

6.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

NTJS3157N

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

1.25 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

9 S

Otoño:

11 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Tags

NTJS3157NT, NTJS3157N, NTJS3157, NTJS3, NTJS, NTJ