AUIRFN8401TR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

84 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

44 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

4.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.83 mm

Longitud:

6 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

144 S

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.1 ns

Parte # Alias:

SP001522256

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AUIRFN8401, AUIRFN840, AUIRFN8, AUIRFN, AUIRF, AUIR, AUI