SI8487DB-T1-E1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MicroFoot-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

25 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

80 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.65 mm

Longitud:

1.6 mm

Serie:

SI8

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

16 S

Otoño:

60 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

22 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

195 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

SI8487DB-E1

Tags

SI848, SI84, SI8