OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hola, regístrateMi cuenta
0 Carro

TK12A60U(STA4,Q,M)

TK12A60U(STA4,Q,M)
Mfr. #:
TK12A60U(STA4,Q,M)
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK12A60U(STA4,Q,M) Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TK12A60U(STA4,Q,M) más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220FP-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
12 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
400 mOhms
Configuración:
Único
Nombre comercial:
DTMOSIV
Embalaje:
Carrete
Altura:
15 mm
Longitud:
10 mm
Serie:
TK12A60U
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
4.5 mm
Marca:
Toshiba
Tipo de producto:
MOSFET
Cantidad de paquete de fábrica:
2500
Subcategoría:
MOSFET
Tags
TK12A60U, TK12A60, TK12A6, TK12A, TK12, TK1
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TK12A60U(STA4,Q,M)
DISTI # 757-TK12A60USTA4QM		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
RoHS: Compliant		0
    Imagen Parte # Descripción
    TK12A60U(STA4,Q,M)

    Mfr.#: TK12A60U(STA4,Q,M)

    OMO.#: OMO-TK12A60U-STA4-Q-M-

    		 MOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
    TK12A60U(STA4,Q,M)

    Mfr.#: TK12A60U(STA4,Q,M)

    OMO.#: OMO-TK12A60U-STA4-Q-M--128

    		 MOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
    TK12A60U(Q,M)

    Mfr.#: TK12A60U(Q,M)

    OMO.#: OMO-TK12A60U-Q-M--TOSHIBA-SEMICONDUCTOR-AND-STOR

    		 MOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 12A
    TK12A60U(STA4)

    Mfr.#: TK12A60U(STA4)

    OMO.#: OMO-TK12A60U-STA4--1190

    		 Nuevo y original
    TK12A60U(QM)-ND

    Mfr.#: TK12A60U(QM)-ND

    OMO.#: OMO-TK12A60U-QM--ND-1190

    		 Nuevo y original
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5500
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de TK12A60U(STA4,Q,M) es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Empezar con
    Top