BSM100GB120DLCK

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

2.1 V

Corriente continua del colector a 25 C:

205 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA

Pd - Disipación de energía:

835 W

Paquete / Caja:

32 mm

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Embalaje:

Bandeja

Altura:

30.5 mm

Longitud:

94 mm

Ancho:

34 mm

Marca:

Infineon Technologies

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

10

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

BSM100GB120DLCKHOSA1 SP000095924

Unidad de peso:

5.643834 oz

Tags

BSM100GB120DL, BSM100GB120, BSM100GB12, BSM100GB1, BSM100GB, BSM100G, BSM100, BSM10, BSM1, BSM