IRFP7718PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

195 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.8 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

830 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

517 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

Fuerte IRFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.7 mm

Longitud:

15.87 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.31 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

420 S

Otoño:

160 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

164 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

400

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

266 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

58 ns

Parte # Alias:

SP001571038

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

IRFP7, IRFP, IRF