IRF7749L2TR1PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DirectFET-L8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

200 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.74 mm

Longitud:

9.15 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

7.1 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

280 S

Otoño:

39 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

43 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001575300

Unidad de peso:

0.035274 oz

Tags

IRF7749L2, IRF7749, IRF774, IRF77, IRF7, IRF