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SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3
Mfr. #:
SI5509DC-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI5509DC-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Digi-ReelR
Paquete-Estuche
8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor
1206-8 ChipFET
Tipo FET
Canal N y P
Potencia máxima
4.5W
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
455pF @ 10V
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
6.1A, 4.8A
Rds-On-Max-Id-Vgs
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
6.6nC @ 5V
Tags
SI550, SI55, SI5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N/P-CH 20V 5A/3.9A 8-Pin Chip FET T/R
***ark
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 1206
***ment14 APAC
MOSFET, N & P CH, 20V, 6.1A, CHIPFET
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI5509DC-T1-E3
DISTI # SI5509DC-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI5509DC-T1-E3
    DISTI # SI5509DC-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI5509DC-T1-E3
      DISTI # SI5509DC-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI5509DC-T1-E3
        DISTI # 781-SI5509DC-T1-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
        RoHS: Compliant        		0
          Imagen Parte # Descripción
          SI5509DC-T1-E3

          Mfr.#: SI5509DC-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI5509DC-T1-E3-VISHAY

          		 IGBT Transistors MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
          SI5509DC-T1-GE3

          Mfr.#: SI5509DC-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI5509DC-T1-GE3-VISHAY

          		 MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
          En orden:
          1000
          Ingrese la cantidad:
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          Cantidad
          Precio unitario
          Ext. Precio
          1
          0,00 US$
          0,00 US$
          10
          0,00 US$
          0,00 US$
          100
          0,00 US$
          0,00 US$
          500
          0,00 US$
          0,00 US$
          1000
          0,00 US$
          0,00 US$
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