TSM2NB60CH C5G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.9 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

9.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

44 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

1.5 S

Otoño:

12.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1875

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.1 ns

Unidad de peso:

0.012102 oz

Tags

TSM2NB60CH, TSM2NB60, TSM2NB, TSM2N, TSM2, TSM