SI5948DU-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerPAK-ChipFET-Dual-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

82 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

7 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

3 mm

Serie:

SI5

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.8 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

11 S

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

41 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Tags

SI594, SI59, SI5