BPX 81-3/4

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Osram Opto Semiconductor

Categoria de producto:

Fototransistores

RoHS:

Y

Producto:

Fototransistores

Paquete / Caja:

Miniature Array

Estilo de montaje:

A través del orificio

Longitud de onda máxima:

850 nm

Voltaje de suministro operativo:

-

Corriente máxima del colector en estado:

50 mA

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

35 V

Voltaje de ruptura colector-emisor:

35 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

150 mW

Corriente oscura:

1 nA

Hora de levantarse:

6 us, 8 us

Otoño:

6 us, 8 us

Pd - Disipación de energía:

90 mW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 80 C

Altura:

3.4 mm

Longitud:

2.4 mm

Color / estilo de la lente:

Transparente

Corriente de salida:

-

Escribe:

Matrices de fototransistores NPN de silicio

Longitud de onda:

850 nm

Ancho:

1.8 mm

Marca:

Opto semiconductores de OSRAM

Retardo de propagación - Máx:

-

Grados de ángulo de media intensidad:

18 deg

Corriente de luz:

320 uA

Tipo de producto:

Fototransistores

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Detectores y sensores ópticos

Parte # Alias:

Q62702P3584

Tags

BPX81-3, BPX81, BPX8, BPX