STW65N65DM2AG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

60 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

27 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

446 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Tubo

Altura:

5.15 mm

Longitud:

20.15 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STW65N65DM2AG

Escribe:

Alto voltaje

Ancho:

15.75 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

11.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

600

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

114 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

33 ns

Unidad de peso:

1.340411 oz

Tags

STW65N, STW65, STW6, STW