UMT1NTN

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-363-6

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 6 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.15 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

140 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

UMT1N

Ganancia de corriente CC hFE Max:

560

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 150 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Parte # Alias:

UMT1N

Unidad de peso:

0.000265 oz

Tags

UMT1NTN, UMT1NT, UMT1N, UMT1, UMT