2SB1260T100P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

80 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 80 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

5 V

Corriente máxima del colector de CC:

1 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

2SB1260

Ganancia de corriente CC hFE Max:

82 at 100 mA, 3 V

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Corriente continua del colector:

- 1 A

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

82

Pd - Disipación de energía:

2000 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.004603 oz

Tags

2SB1260T, 2SB1260, 2SB126, 2SB12, 2SB1, 2SB