SPP11N80C3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

PG-TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

800 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

450 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

64 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

156 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

CoolMOS

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Serie:

CoolMOS C3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

72 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Parte # Alias:

SP000683158 SPP11N80C3XKSA1 SPP11N8C3XK

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

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