STS20N3LLH6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

17 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.7 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

STS20N3LLH6

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

37 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.5 ns

Unidad de peso:

0.017870 oz

Tags

STS2, STS