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RSS100N03FU6TB

RSS100N03FU6TB
Mfr. #:
RSS100N03FU6TB
Fabricante:
ROHM Semiconductor
Descripción:
MOSFET 30V 10A N CHANNEL
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
RSS100N03FU6TB Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
ROHM
categoria de producto
FET - Single
Serie
RSS100N03
embalaje
Carrete
Unidad de peso
0.030018 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SOP-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Fuente triple de drenaje cuádruple simple
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
24 ns
Hora de levantarse
16 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
10 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
13 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
55 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
10 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
RSS100N03F, RSS100N0, RSS100N, RSS100, RSS10, RSS1, RSS
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 2 W 30 V 18.9 mOhm Surface Mount 4 V Drive MosFet - SOIC-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R
***ronik
N-CH 30V 10A 13mOhm SOP-8 RoHSconf
***ment14 APAC
MOSFET, N, 30V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOP; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10A; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:12.5mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:9.5mohm; Package / Case:SOP-8; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:40A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
RSS100N03FU6TB
DISTI # C1S625900633859		ROHM SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOP T/R
RoHS: Compliant		2
  • 1:$1.8800
RSS100N03FU6TB
DISTI # RSS100N03FU6TB-ND		ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.6237
RSS100N03FU6TB
DISTI # 755-RSS100N03FU6TB		ROHM SemiconductorMOSFET 30V 10A N CHANNEL
RoHS: Compliant		0
    RSS100N03FU6TBROHM Semiconductor 2547
      Imagen Parte # Descripción
      RSS100N03FU6TB

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      		 MOSFET 30V 10A N CHANNEL
      RSS100N03 TB

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      RSS100N03FD5TB

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      RSS100N03FU6TB SOP8

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      RSS100N03TB

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      OMO.#: OMO-RSS100N03TB1-1190

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      Valores:
      Available
      En orden:
      3500
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      Precio de referencia (USD)
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      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      0,90 US$
      0,90 US$
      10
      0,86 US$
      8,58 US$
      100
      0,81 US$
      81,27 US$
      500
      0,77 US$
      383,80 US$
      1000
      0,72 US$
      722,40 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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