DMP56D0UFB-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X1-DFN1006-3

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

50 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

580 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

425 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMP56

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

100 mS

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.63 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

21.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.46 ns

Tags

DMP56D0UF, DMP56, DMP5, DMP