HP8S36TB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

HSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

27 A, 80 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V, 12 V

Qg - Carga de puerta:

4.8 nC, 47 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Transconductancia directa - Mín .:

10 S, 30 S

Otoño:

3.4 ns, 66 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.5 ns, 27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25.5 ns, 186 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.6 ns, 34 ns

Parte # Alias:

HP8S36

Tags

HP8S36, HP8S3, HP8S, HP8