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TK20N60W,S1VF

TK20N60W,S1VF
Mfr. #:
TK20N60W,S1VF
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK20N60W,S1VF Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK20N60W,S1VF DatasheetTK20N60W,S1VF Datasheet (P4-P6)TK20N60W,S1VF Datasheet (P7-P9)TK20N60W,S1VF Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK20N60W,S1VF más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-247-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
600 V
Id - Corriente de drenaje continua:
20 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
130 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3.7 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
30 V
Qg - Carga de puerta:
48 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
165 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
DTMOSIV
Altura:
20.95 mm
Longitud:
15.94 mm
Serie:
TK20N60W
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Ancho:
5.02 mm
Marca:
Toshiba
Otoño:
6 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
25 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
30
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
100 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
50 ns
Unidad de peso:
1.340411 oz
Tags
TK20N60W,S, TK20N, TK20, TK2
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor Dtmos To-247-Os Moq=30 Pd=165W F=1Mhz
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***
MOSFET TRAN DTMOS 165W /1MHZ
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TK20N60W,S1VF
DISTI # V99:2348_13896142		Toshiba America Electronic ComponentsX35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST30
  • 2500:$2.5890
  • 1000:$2.7260
  • 500:$3.1820
  • 250:$3.5180
  • 100:$3.8660
  • 10:$4.2130
  • 1:$5.0570
TK20N60W,S1VF
DISTI # TK20N60WS1VF-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 20A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$5.1977
TK20N60W,S1VF
DISTI # 30662096		Toshiba America Electronic ComponentsX35 PB-F POWER MOSFET TRANSIST30
  • 10:$4.2060
  • 3:$5.0460
TK20N60W,S1VF
DISTI # TK20N60W,S1VF		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-247 - Rail/Tube (Alt: TK20N60W,S1VF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Americas - 0
  • 30:$3.1900
  • 60:$2.9900
  • 120:$2.8900
  • 180:$2.6900
  • 300:$2.5900
TK20N60W,S1VF
DISTI # 757-TK20N60WS1VF		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
RoHS: Compliant		60
  • 1:$5.8800
  • 10:$4.7300
  • 100:$4.3100
  • 250:$3.8900
  • 500:$3.4900
  • 1000:$2.9400
  • 2500:$2.8000
TK20N60W,S1VF(S
DISTI # 8912945		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETDTMOS4600V/20ATO247, PK8
  • 2:£7.1850
  • 10:£6.3250
  • 40:£5.5300
  • 100:£5.1700
  • 200:£4.8900
TK20N60W,S1VF(S
DISTI # 8276167P		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETDTMOS4600V/20ATO247, BG66
  • 20:£6.2350
  • 40:£5.4550
  • 74:£5.1000
  • 150:£4.8200
TK20N60W,S1VF(S
DISTI # 8276167		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETDTMOS4600V/20ATO247, PK44
  • 2:£7.0850
  • 20:£6.2350
  • 40:£5.4550
  • 74:£5.1000
  • 150:£4.8200
TK20N60W,S1VFToshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
RoHS: Compliant		Americas -
    TK20N60WS1VFToshiba America Electronic ComponentsMOSFET MOSFET TRAN DTMOS 165W /1MHZ
    RoHS: Compliant    		Americas -
      TK20N60W,S1VF(S
      DISTI # C1S751201057149      		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs30
      • 10:$8.1200
      TK20N60W,S1VF
      DISTI # C1S751200920477      		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs30
      • 10:$4.2060
      • 1:$5.0460
      Imagen Parte # Descripción
      UCC28019ADR

      Mfr.#: UCC28019ADR

      OMO.#: OMO-UCC28019ADR

      		 Power Factor Correction - PFC 8P Cont Conduction Mode PFC Controller
      2N7002LT1G

      Mfr.#: 2N7002LT1G

      OMO.#: OMO-2N7002LT1G

      		 MOSFET 60V 115mA N-Channel
      HCPL2601

      Mfr.#: HCPL2601

      OMO.#: OMO-HCPL2601

      		 High Speed Optocouplers DIP-8 HS LOGIC GATE
      SN74HC14N

      Mfr.#: SN74HC14N

      OMO.#: OMO-SN74HC14N

      		 Inverters Hex Schmitt-Trigger
      L6591

      Mfr.#: L6591

      OMO.#: OMO-L6591

      		 Switching Controllers PWM CONTROLLER ZVS HALF-BRIDGE
      870235675006

      Mfr.#: 870235675006

      OMO.#: OMO-870235675006

      		 Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded WCAP-PT5H Aluminum 120uF 20% 35V
      0ADEC9200-BE

      Mfr.#: 0ADEC9200-BE

      OMO.#: OMO-0ADEC9200-BE

      		 Cartridge Fuses FUSE, CERAMIC TUBE 20A, 500VAC/VDC
      HCPL2601

      Mfr.#: HCPL2601

      OMO.#: OMO-HCPL2601-ON-SEMICONDUCTOR

      		 High Speed Optocouplers DIP-8 HS LOGIC GATE
      L6591

      Mfr.#: L6591

      OMO.#: OMO-L6591-STMICROELECTRONICS

      		 IC CTRLR PWM PROG CM HV 16SOIC
      SN74HC14N

      Mfr.#: SN74HC14N

      OMO.#: OMO-SN74HC14N-TEXAS-INSTRUMENTS

      		 Inverters Hex Schmitt-Trigge
      Disponibilidad
      Valores:
      30
      En orden:
      2013
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de TK20N60W,S1VF es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      5,88 US$
      5,88 US$
      10
      4,73 US$
      47,30 US$
      100
      4,31 US$
      431,00 US$
      250
      3,89 US$
      972,50 US$
      500
      3,49 US$
      1 745,00 US$
      1000
      2,94 US$
      2 940,00 US$
      2500
      2,80 US$
      7 000,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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