BSS87 H6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

P-SOT-89-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

240 V

Id - Corriente de drenaje continua:

260 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

3.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

4.5 mm

Serie:

BSS87

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

2.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

160 mS

Otoño:

27.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.7 ns

Parte # Alias:

BSS87H6327FTSA1 SP001047646

Unidad de peso:

0.001781 oz

Tags

BSS87H, BSS87, BSS8, BSS