MRF1K50H-TF3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

E

Polaridad del transistor:

Canal N dual

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

36 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

135 V

Ganar:

23.7 dB

Potencia de salida:

1.5 kW

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

NI-1230H-4S

Frecuencia de operación:

1.8 MHz to 500 MHz

Serie:

MRF1K50H

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

NXP / Freescale

Transconductancia directa - Mín .:

33.5 S

Número de canales:

2 Channel

Pd - Disipación de energía:

1.667 kW

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.7 V

Parte # Alias:

935337278598

Unidad de peso:

1.351 lbs

Tags

MRF1K50H-T, MRF1K50H, MRF1K, MRF1, MRF