TN2510N8-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-89-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

730 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.6 mm

Longitud:

4.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

FET

Ancho:

2.6 mm

Marca:

Tecnología de microchip

Transconductancia directa - Mín .:

400 mS

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.001862 oz

Tags

TN251, TN25, TN2