TSM650P02CX RFG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

52 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

400 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

6.4 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.56 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Otoño:

11.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40.7 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM