FDWS9520L-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

12.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

33 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

75 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

34 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

21 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

120 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Tags

FDWS95, FDWS9, FDWS, FDW