RU1C002ZPTCL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323FL-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

1.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Producto:

MOSFET

Serie:

RU1C002ZP

Tipo de transistor:

1 P-Channel MOSFET

Escribe:

MOSFET de potencia

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

RU1C002ZP

Unidad de peso:

0.004395 oz

Tags

RU1C002ZPT, RU1C002Z, RU1C002, RU1C0, RU1C, RU1