SI3442DV

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4.1 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

39 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.6 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

28 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9 ns

Parte # Alias:

SI3442DV_NL

Unidad de peso:

0.001270 oz

Tags

SI3442DV, SI3442D, SI3442, SI344, SI34, SI3