ZXMD63N03XTA

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

135 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

870 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.95 mm

Longitud:

3.1 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

ZXMD63

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

3.1 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

1.9 S

Otoño:

4.1 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.5 ns

Unidad de peso:

0.004938 oz

Tags

ZXMD63N03, ZXMD63N, ZXMD63, ZXMD6, ZXMD, ZXM