FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Escribe:

MOSFET CoolSiC

Vf - Voltaje directo:

4.6 V at 50 A

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 10 V, 20 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

AG-EASY1BM-2

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Doble

Marca:

Infineon Technologies

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

12 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

50 A

Pd - Disipación de energía:

20 mW

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

22.5 mOhms

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Nombre comercial:

EasyDUAL CoolSiC MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

43.5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1200 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.45 V

Parte # Alias:

FF23MR12W1M1P_B11 SP002739444

Tags

FF2