NSVBC858CLT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Polaridad del transistor:

PNP

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

- 30 V

Colector- Voltaje base VCBO:

- 30 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

- 5 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

- 0.65 V

Corriente máxima del colector de CC:

- 100 mA

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

100 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

BC858CL

Ganancia de corriente CC hFE Max:

800 at -2 mA, - 5 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

EN Semiconductor

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

420 at - 2 mA, - 5 V

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Calificación:

AEC-Q101

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

NSVBC858, NSVBC85, NSVBC8, NSVBC, NSVB, NSV