MMBT2222ALP4-7B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

X2-DFN1006-3

Polaridad del transistor:

NPN

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

40 V

Colector- Voltaje base VCBO:

75 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

6 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

0.3 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.6 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

300 MHz

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

MMBT2222

Ganancia de corriente CC hFE Max:

300 at 150 mA, 10 V

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Corriente continua del colector:

600 mA

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

35 at 100 uA, 10 V

Pd - Disipación de energía:

1 W

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

Transistores

Tags

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