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SI8900EDB-T2-E1

SI8900EDB-T2-E1
Mfr. #:
SI8900EDB-T2-E1
Fabricante:
Vishay
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI8900EDB-T2-E1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay Siliconix
categoria de producto
FET: matrices
Serie
TrincheraFETR
embalaje
Embalaje alternativo de Digi-ReelR
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
10-UFBGA, CSPBGA
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de canales
2 Channel
Paquete de dispositivo de proveedor
10-Micro Foot CSP (2x5)
Configuración
Doble
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Potencia máxima
1W
Tipo transistor
2 N-Channel
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
20V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
-
Función FET
Puerta de nivel lógico
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
5.4A
Rds-On-Max-Id-Vgs
-
Vgs-th-Max-Id
1V @ 1.1mA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
-
Disipación de potencia Pd
1 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
4500 ns
Hora de levantarse
4500 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
5.4 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
24 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
55000 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
3000 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI8900E, SI8900, SI890, SI89, SI8
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
N CHANNEL MOSFET, 20V, 7A, MICRO FOOT
***i-Key
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # SI8900EDB-T2-E1TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$1.6093
SI8900EDB-T2-E1
DISTI # 781-SI8900EDB-E1		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.4700
Imagen Parte # Descripción
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1

 MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB-T2-E1

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 7.0A 1.8W Bi-Directional
SI8900EDB

Mfr.#: SI8900EDB

OMO.#: OMO-SI8900EDB-1190

 Nuevo y original
SI8900EDB-T2-E1CT

Mfr.#: SI8900EDB-T2-E1CT

OMO.#: OMO-SI8900EDB-T2-E1CT-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
5500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
2,20 US$
2,20 US$
10
2,09 US$
20,95 US$
100
1,98 US$
198,45 US$
500
1,87 US$
937,15 US$
1000
1,76 US$
1 764,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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