APTGT50H120T3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

Y

Producto:

Módulos de silicio IGBT

Configuración:

Puente completo

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1.2 kV

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.7 V

Corriente continua del colector a 25 C:

75 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA

Pd - Disipación de energía:

270 W

Paquete / Caja:

SP3-32

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 100 C

Embalaje:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

IGBT

Tags

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